發展曆史
Development History
在江蘇省重大成果轉化項目（2007年(nián)）、國(guó)家自(zì)然科學基金(jīn)委項目、科技部863項目和(hé)重點研發計劃、發改委産業化示範項目以及國(guó)家和(hé)省市各級領軍人(rén)才項目等的支持下(xià)，依托中科院蘇州納米所研究平台，蘇州納維在氮化镓單晶材料生長(cháng)與産業化技術(shù)上(shàng)持續深耕，取得系列創新突破，目前可(kě)以批量提供2~4英寸氮化镓單晶标準襯底，并可(kě)以為(wèi)客戶定制特定尺寸和(hé)規格的單晶襯底。
緻力于氮化镓單晶材料的生長(cháng)技術(shù)和(hé)裝備研發，銳意進取，發展新方法、突破新技術(shù)，做(zuò)全球氮化镓單晶技術(shù)的引領者，做(zuò)氮化镓單晶襯底的最佳供應商，成長(cháng)為(wèi)對全球新一(yī)代半導體技術(shù)有卓越貢獻的中國(guó)企業。
5×5mm²
Ø 2 inch位錯密度10⁶cm⁻²。
Ø 2 inch量産中試，位錯密度10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch實現量産，Ø 4 inch樣品。 研發水平位錯密度10⁴cm⁻²。
Ø 4 inch量産技術(shù)，Ø 6inch關鍵技術(shù)。 研發水平位錯密度10³cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量産，Ø 4 inch 小批量供貨，Ø 7 inch 樣品研發。 位錯密度：研發水平10³cm⁻²，量産水平10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量産，Ø 4 inch 量産能(néng)力，Ø 6 inch 批量供貨，Ø 8 inch 量産技術(shù) 位錯密度：研發水平10²cm⁻²，量産水平10⁴cm⁻²。
Ø 2~8 inch量産技術(shù) 全面支撐：可(kě)見(jiàn)光(guāng)激光(guāng)器，先進微(wēi)米LED，寬頻(pín)譜射頻(pín)器件，高效率電力電子，高可(kě)靠性功率器件，極低(dī)位錯密度電學性能(néng)領先。
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