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2014

2014

  • 分類：發展曆史
  • 作(zuò)者：
  • 來源：
  • 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
  • 訪問(wèn)量：0

【概要(yào)描述】Ø 2 inch量産中試，位錯密度10⁵cm⁻²。

2014

【概要(yào)描述】Ø 2 inch量産中試，位錯密度10⁵cm⁻²。

  • 分類：發展曆史
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開(kāi)展了(le)4英寸GaN單晶襯底的研發；獲得國(guó)家科技部863項目“大尺寸GaN單晶襯底制備及同質外(wài)延”項目的支持

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上(shàng)一(yī)個: 2012
下(xià)一(yī)個: 2016
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