蘇州納維總部大樓建設正式啓動
2022-09-26
典型GaN射頻(pín)器件的工(gōng)藝流程
- 分類：行(xíng)業動态
- 作(zuò)者：
- 來源：
- 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
- 訪問(wèn)量：0
【概要(yào)描述】典型的GaN射頻(pín)器件的加工(gōng)工(gōng)藝主要(yào)包括如(rú)下(xià)環節：外(wài)延生長(cháng)-器件隔離-歐姆接觸（制作(zuò)源極、漏極）-氮化物(wù)鈍化-栅極制作(zuò)-場闆制作(zuò)-襯底減薄-襯底通(tōng)孔等環節。
典型GaN射頻(pín)器件的工(gōng)藝流程
【概要(yào)描述】典型的GaN射頻(pín)器件的加工(gōng)工(gōng)藝主要(yào)包括如(rú)下(xià)環節：外(wài)延生長(cháng)-器件隔離-歐姆接觸（制作(zuò)源極、漏極）-氮化物(wù)鈍化-栅極制作(zuò)-場闆制作(zuò)-襯底減薄-襯底通(tōng)孔等環節。
- 分類：行(xíng)業動态
- 作(zuò)者：
- 來源：
- 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
- 訪問(wèn)量：0
詳情
典型的GaN射頻(pín)器件的加工(gōng)工(gōng)藝主要(yào)包括如(rú)下(xià)環節：外(wài)延生長(cháng)-器件隔離-歐姆接觸（制作(zuò)源極、漏極）-氮化物(wù)鈍化-栅極制作(zuò)-場闆制作(zuò)-襯底減薄-襯底通(tōng)孔等環節。
外(wài)延生長(cháng)
采用金(jīn)屬氧化物(wù)化學氣相沉積（MOCVD）或分子束外(wài)延（MBE）方式在SiC或Si襯底上(shàng)外(wài)延GaN材料。
器件隔離
采用離子注入或者制作(zuò)台階（去除掉溝道(dào)層）的方式來實現器件隔離。射頻(pín)器件之間(jiān)的隔離是制作(zuò)射頻(pín)電路的基本要(yào)求。
歐姆接觸
形成歐姆接觸是指制作(zuò)源極和(hé)漏極的電極。對GaN材料而言，制造歐姆接觸需要(yào)在很(hěn)高的溫度下(xià)完成。
氮化物(wù)鈍化
在源極和(hé)漏極制作(zuò)完成後，GaN半導體材料需要(yào)經過鈍化過程來消除懸挂鍵等界面态。GaN的鈍化過程通(tōng)常采用SiN（氮化矽）來實現。
栅極制作(zuò)
在SiN鈍化層上(shàng)開(kāi)口，然後沉積栅極金(jīn)屬。至此，基本的場效應晶體管的結構就成型了(le)。
場闆制作(zuò)
栅極制作(zuò)完成後，繼續沉積額外(wài)的幾層金(jīn)屬和(hé)氮化物(wù)，來制作(zuò)場闆、互連和(hé)電容，此外(wài)，也可(kě)以保護器件免受外(wài)部環境影響。
襯底減薄
襯底厚度減薄至100μm左右，然後對減薄後的襯底背部進行(xíng)金(jīn)屬化。
襯底通(tōng)孔
通(tōng)孔是指在襯底上(shàng)表面和(hé)下(xià)表面之間(jiān)刻蝕出的短通(tōng)道(dào)，用于降低(dī)器件和(hé)接地(dì)(底部金(jīn)屬化層)之間(jiān)的電感。
出處：www.qorvo.com
掃二維碼用手機看(kàn)
上(shàng)一(yī)個:
無
下(xià)一(yī)個:
氮化镓X波段氮化镓放大器和(hé)阻塞轉換器的新進展
上(shàng)一(yī)個:
無
下(xià)一(yī)個:
氮化镓X波段氮化镓放大器和(hé)阻塞轉換器的新進展
相關新聞
聯系我們
地(dì)址：蘇州工(gōng)業園區(qū)金(jīn)雞湖大道(dào)99号蘇州納米城西(xī)北區(qū)20幢518室
客服：
任小姐(jiě)：17712482910
郵 箱：renjing@nanowin.com.cn
銷售總監：
戴冬雲：15962257010
郵 箱：daidongyun@nanowin.com.cn
在線留言
客戶留言
描述：
159-6225-7010 
在線咨詢 