射頻(pín)電子領域
Radio Frequency Electronics
基于GaN材料的射頻(pín)器件，具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優勢，是迄今最理想的半導體射頻(pín)電子器件。
電力電子領域
Power Electronics
電力電子的主流發展趨勢，更高的電壓、更大的電流、更高的效率、更小的體積、更高的可(kě)靠性，從(cóng)單一(yī)的功率變換到“能(néng)源路由器發展”，需要(yào)以更快(kuài)的速度、以更高的效率來處理更大功率的能(néng)源。
新型顯示領域
New Display Field
氮化镓單晶：更小的尺寸、更高高分辨率，芯片波長(cháng)一(yī)緻性，更小的漏電流，在小電流驅動下(xià)更高的效率，同質外(wài)延MicroLED技術(shù)通(tōng)向“摩爾定律”之路。
全彩激光(guāng)顯示
Full Color Laser Display
發光(guāng)二極管（LED）具有照明(míng)效率高、色彩豐富、節能(néng)、使用壽命長(cháng)、響應速度快(kuài)、體積小、光(guāng)源堅固等一(yī)系列優點。
高功率射頻(pín)器件
High Power RF Devices
在半導體激光(guāng)器家族中，中紅(hóng)外(wài)或近紅(hóng)外(wài)激光(guāng)器(830nm/1064nm)都(dōu)是重要(yào)的組成部分，但(dàn)是缺一(yī)名重要(yào)成員(yuán)——短波（可(kě)見(jiàn)光(guāng)）激光(guāng)器，即藍(lán)、綠(lǜ)光(guāng)波段的激光(guāng)器。
高功率電子電力器件
High Power Electronic Power Devices
MESFET、HFET、MODFET、HBT；射頻(pín)功率晶體管；高頻(pín)MMIC；高電壓電子器件；高溫電子器件；混合信号GaN/Si集成。
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