氮化镓單晶襯底在射頻(pín)電子領域的應用
- 分類：應用領域
- 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26 10:35:40
- 訪問(wèn)量：0
概要(yào):
詳情
- 基于GaN材料的射頻(pín)器件，具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優勢，是迄今最理想的半導體射頻(pín)電子器件。
- 基于氮化镓單晶襯底的HEMT器件，為(wèi)同時(shí)實現高頻(pín)率、寬頻(pín)譜、高效率、高功率密度、高可(kě)靠性提供解決方案。
- 半絕緣氮化镓，Fe摻雜(zá)，C摻雜(zá)
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