蘇州納維總部大樓建設正式啓動
2022-09-26
2018
- 分類：發展曆史
- 作(zuò)者：
- 來源：
- 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
- 訪問(wèn)量：0
【概要(yào)描述】Ø 4 inch量産技術(shù)，Ø 6inch關鍵技術(shù)。
研發水平位錯密度10³cm⁻²。
2018
【概要(yào)描述】Ø 4 inch量産技術(shù)，Ø 6inch關鍵技術(shù)。
研發水平位錯密度10³cm⁻²。
- 分類：發展曆史
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- 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
- 訪問(wèn)量：0
詳情
2英寸GaN單晶襯底的位錯密度獲得國(guó)際認可(kě)；完成了(le)4英寸GaN單晶襯底；開(kāi)展了(le)6英寸GaN單晶襯底的研發
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