大功率器件專用氮化镓單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

産品中心

Products Center

4英寸自(zì)支撐氮化镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

4英寸自(zì)支撐氮化镓晶片（鐵摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

2英寸自(zì)支撐氮化镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

4英寸自(zì)支撐氮化镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

4英寸自(zì)支撐氮化镓晶片（鐵摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

2英寸自(zì)支撐氮化镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

更多産品

專業的高質量氮化镓襯底供應商

蘇州子非魚小酌科技有限公司緻力于第三代半導體核心關鍵材料——氮化镓（GaN）單晶襯底的研發與産業化，經過15年(nián)努力，實現了(le)2英寸氮化镓單晶襯底的生産、完成了(le)4英寸産品的工(gōng)程化技術(shù)開(kāi)發、突破了(le)6英寸的關鍵技術(shù)，現在是國(guó)內(nèi)和(hé)國(guó)際少(shǎo)數(shù)幾家之一(yī)能(néng)夠批量提供2英寸氮化镓單晶産品的單位；氮化镓産品性能(néng)綜合指标國(guó)際領先，未來3年(nián)重點實現将技術(shù)先發優勢轉化為(wèi)在全球的市場優勢。

蘇州子非魚小酌科技有限公司成立于2007年(nián)，專注于高質量氮化镓半導體單晶材料的生長(cháng)。氮化镓是第三代半導體的代表，它是節能(néng)照明(míng)、激光(guāng)投影顯示、智能(néng)電網、新能(néng)源汽車、5G通(tōng)信等産業的核心基礎材料，預計到未來将形成萬億美元以上(shàng)的市場規模。

了(le)解詳情

專業的高質量氮化镓襯底供應商

蘇州子非魚小酌科技有限公司成立于2007年(nián)，專注于高質量氮化镓半導體單晶材料的生長(cháng)。氮化镓是第三代半導體的代表，它是節能(néng)照明(míng)、激光(guāng)投影顯示、智能(néng)電網、新能(néng)源汽車、5G通(tōng)信等産業的核心基礎材料，預計到2025年(nián)将形成萬億美元以上(shàng)的市場規模。

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