4英寸氮化镓厚膜晶片（矽摻）

規格：GaN-T-C-N-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 電阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm

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4英寸氮化镓厚膜晶片（非摻）

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